Collective Die to Wafer Bonding System

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Wafer Bonding System
Collective Die to Wafer Bonding System

Collective Die to Wafer Bonding system

Chip to Wafer bonding 장비인 Thermal Compression Chip Bonder 의 생산성을 높이기 위하여 Device Wafer 전면에 Chip을 P&P 한 다음 한꺼번에 Press 하여 Chip을 적층/전기적 연결을 하는 Gang Bonding 장비입니다.


다른 방법은 Carrier Wafer 전면에 Chip을 P&P 전사한 다음, Carrier Wafer상의 Chip들과 다른 Device Wafer의 Chip들을 가접합하는 Aligner & Pre-bonder와, 본 접합하는 Thermal compression Wafer bonder  와 Laser Eutectic Bonder가 있습니다.


전기적 연결은 낮은 융점의 전극을 사용하여 Bump to 전극 또는 전극 to 전극 간 Eutectic Bonding을 합니다.

  Features

  • Post Bonding after Aligning & Pre-bonding 
  • Electrode metal/Bump:  Cu, Au, Sn, CuSn, AuSn, AgSn                          
  • Automatic Parallelism adjustment function  : Excellent pressing uniformity
  • Anti – Vibration Structure

  Specifications

  • Wafer Size : up to 12inch
  • Aligner & Pre-bonder in vacuum or atm.

             - Align Accuracy :  ≤±2um

             - Throughput : 15 wafers/h


  • Post Bonder(Gang Bonder) :

              - Throughput of Thermal compression wafer bonder : 3 wafers/h

              - Throughput of Laser Eutectic bonder : 20 wafers/h



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